專家信息：

劉忠立， 1940年生，武漢市人，1964年畢業(yè)于清華大學無線電電子學系半導體材料及器件專業(yè)。歷任中國科學院半導體研究所微電子研究及發(fā)展中心主任、研究員、博士生導師、博士后合作導師、所學術(shù)委員會副主任、學位委員會委員、國家傳感技術(shù)重點實驗室副主任，創(chuàng)新重大項目“特種半導體器件及電路”負責人等�，F(xiàn)任中國科學院微電子研究所特聘研究員，傳感技術(shù)國家重點實驗室學術(shù)委員會委員、北京市傳感技術(shù)實驗室學術(shù)委員會委員、中國電子學會核輻射電磁脈沖專委會委員、中國國際工程咨詢公司項目評估專家等職，微電子學雜志編委會委員，科學出版社“半導體科學與技術(shù)叢書” 編委會委員。

已在國內(nèi)外重要刊物上發(fā)表論文120余篇，撰寫專著4本，譯著2本，擁有國家發(fā)明專利8項，指導已畢業(yè)的博士生12名，博士后1名，指導已畢業(yè)的碩士生12名。

教育及工作經(jīng)歷：

1964年畢業(yè)于清華大學半導材料及器件專業(yè)。

1964-2010年在中科院半導體研究所工作，2011年起被中科院微電子研究所 聘為教授繼續(xù)工作。

1980-1982年曾作為訪問學者在聯(lián)邦德國多特蒙德大學從事新CMOS器件研究。

1990-1991年在聯(lián)邦德國HMI研究任客座教授所事MOS器件輻射加固物理研究。

學術(shù)兼職：

1、傳感技術(shù)國家重點實驗室學術(shù)委員會委員。

2、北京市傳感技術(shù)國家重點實驗室學術(shù)委員會委員。

3、中國電子學會核輻射電磁脈沖專委會專家委員。

4、中科院軍工項目監(jiān)理部監(jiān)理。

5、“微電子學 ”雜志編委會委員。

6、科學出版社半導體技術(shù)書籍編委會委員。

6、中國國際工程咨詢公司項目評估專家。

7、中電集團SOICMOS技術(shù)研發(fā)中心專家委員會專家。

科學研究：

研究方向：

主要從事從事半導體器件、電路、微傳感器的設(shè)計、制造及輻射加固研究，近年來重點研究抗輻射SOICMOS SRAM、抗輻射SOICMOS FPGA及寬帶隙半導體SiC 功率器件。

承擔的科研項目情況：

長期從事輻射加固集成電路、微傳感器及半導體功率器件研究，是我國最早研制成功MOSFET及JFET器件的主要研究人員之一。20世紀60年代后期至70年代中期，在高質(zhì)量SiO₂ 生長、檢測以及MOS器件穩(wěn)定性和可靠性方面，做出了很多有意義的開拓性研究成果，1974年負責研制成功CMOS指針式電子手表電路，榮獲北京市科技二等獎。1980－1982年，作為訪問學者在德國多特蒙德大學電子系從事新CMOS器件研究，首創(chuàng)性地提出并負責研制成功離子注入氮形成隱埋Si₃N₄的CMOS/SOI器件，得到國際同行的認可。1990-1991年，在德國HMI核研究所任客座教授從事MOS器件輻射物理研究，取得有意義的成果。1982年-1989年，負責研制成功“抗輻射CMOS/SOS集成電路”及“長壽命衛(wèi)星抗輻射集成電路”，電路的抗輻射指標達到國際上相應電路的最好水平，分別獲1987年及1991年中科院科技進步二等獎；1992年獲國防科工委光華基金二等獎；1993年獲國家政府特殊津貼及中科院優(yōu)秀教師稱號； 1995負責研制成功重點工程CMOS/SOS抗輻射CMOS/SOS集成電路，獲中科院科技進步三等獎。“八五” 、“九五”及“十五”期間，負責多項國家重大研究課題，均已通過驗收，其中同中科院微電子所合作完成的”64K抗輻射CMOS/SOI SRAM”院重點創(chuàng)新項目，同中電集團58所合作完成的十五預研項目”128K抗輻射CMOS/SOI SRAM”,開拓了我國抗輻射CMOS/SOI輻射加固集成電路的研究領(lǐng)域。此外，“九五”至“十五”期間還負責研制成功高反壓SiC二極管、SiC肖特基二極管、SiC MOS管等國內(nèi)一流的研究成果，十一五責研制成功5萬門抗輻射CMOS/SOI FPGA電路已通過驗收，輻射指標達國際先進水平。

科研成果：

1、1974年負責研制成功我國第一個CMOS指針式電子手表電路，獲北京市科技二等獎。

2、1980年提出并研制成功的離子注入氮形成隱埋的Si₃N₄層不用處延硅的CMOS/SOI器件是國際上開創(chuàng)性的工作。

3、負責的“抗輻射CMOS/SOS集成電路”及“長壽命衛(wèi)星用抗輻射集成電路”研究項目分別獲1987年及1991年中科院科技進步二等獎。

4、負責的國防重點工程抗輻射加固CMOS/SOS集成電路1995年獲中科院科技進步三等獎。

發(fā)明專利：

1、集成電路的保護結(jié)構(gòu)， 劉忠立，劉榮環(huán)， 和致經(jīng)， 中國科學院半導體研究所， 1990-01-31。

2、一種功率MOSFET驅(qū)動電路， 高峰， 李春寄，劉忠立，于芳 ，中國科學院半導體研究所， 2007-10-17。

3、一種幅度調(diào)制隔離反饋控制電路，高峰， 李春寄， 劉忠立，于芳，中國科學院半導體研究所 ，2007-10-17。

4 、一種可重構(gòu)的乘法器， 余洪敏， 陳陵都， 劉忠立，中國科學院半導體研究所， 2010-01-13。

5、針對多模式邏輯單元可編程門陣列的工藝映射方法， 張琨，周華兵， 陳陵都， 劉忠立，中國科學院半導體研究所， 2010-02-24。

6、全集成高線性三角波發(fā)生器， 李霄鹍， 石寅， 劉忠立， 中國科學院半導體研究所 ，2006-06-21。

7、形成于PD SOI 襯底上的靜態(tài)隨機存儲器及其制作方法，趙凱， 劉忠立， 姜凡， 中國科學院半導體研究所， 2007-07-04。

8、改進的部分耗盡絕緣體上硅靜態(tài)隨機存儲器存儲單元， 趙凱， 劉忠立， 于芳， 中國科學院半導體研究所， 2009-05-27 。

論文專著：

已在國內(nèi)外主要刊物上發(fā)表了90余篇論文，著有30萬字專著《CMOS集成電路原理、制造及應用》一本。

出版專著：

1. 《CMOS集成電路原理制造及應用》，劉忠立，電子工業(yè)出版社，1990年。

2. 《研究生專業(yè)參考教程第一卷》，本書共六章，劉忠立著第六章：“微電子學中的半導體器件”，1995年，中科院半導體所內(nèi)部發(fā)行。

3. 《電子器件抗輻射加固技術(shù)》，本書共九章，劉忠立著第七章：“CMOS/SOS 及 CMOS/SOI 集成電路的輻射效應及加固技術(shù)”，裝備部出版, 2001年。

4. 《特高頻射頻識別技術(shù)及應用》，李全圣，劉忠立，吳里江，國防工業(yè)出版社，2001年。

出版譯著：

1. 《半導體輻射探測器》，劉忠立譯，國防工業(yè)出版社， 2004年。

2. 《先進半導體材料及器件的輻射效應》，劉忠立譯，國防工業(yè)出版社， 2008年。

發(fā)表論文：

1. 劉忠立，論N溝道增強型MOS晶體管，半導體通訊，1973，No.3, pp1-7.

2. 劉忠立，用于鈍化鈉離子的摻HCL氧化方法，全國半導體表面鈍化會議，1975，pp126-130.

3. 劉忠立，P溝Si柵N溝Al柵CMOS手表電路，半導體通訊，1976, No.3, pp1-10.

4. 劉忠立，一種簡易的監(jiān)控Si-SiO₂界面質(zhì)量的水銀探針，物理學報，1977, Vol.26, No.3, pp281-284.

5. 劉忠立，用于MOS器件閾值電壓設(shè)計的諾摸圖，無線電技術(shù)，1977, pp44-45.

6. Liu Zhongli, et al, CMOS Devices Buried Silicon Nitride Formed by Nitrogen Implantation, Proceeding of 12^th ESSDERC, Sept.1982, pp172.

7. G.Zimmer, Liu Zhongli, et al, Buried Silicon-Nitride Layers Formed by Nitrogen-Ion Implantation and High-Temperature Annealing, Ion Implantation Equipment and Technology (H.Ryssel and H.Glawishs), 1983, pp426-432.

8. Zimmer G, Neubert E, Zetzmann, W, Liu, Z, CMOS-DEVICES ISOLATED BY ION-IMPLANTED BURIED SILICON NITRIDE, Technical Digest - International Electron Devices Meeting, 1982, pp 789-790.

9. G.Zimmer, Liu Zhongli, et al, CMOS Technologie auf Vergrabennen Ziliziumnitrid, MTG-Fachtagung Grossintegration, 1982, pp130-133.

10. 劉忠立等，離子注入氮化硅隔離的CMOS器件，半導體學報，1983, Vol.4，No.6，pp601-605.

11. 劉忠立，N阱全離子注入硅柵CMOS工藝中短和窄溝MOS晶體管的某些實驗特性，第三屆全國半導體集成電路和硅材料學術(shù)會議論文集，1983, pp282-283.

12. Liu Zhongli, et al, High Performance Radiation Tolerant CMOS/SOS ICs, Institute of Semiconductors, Academy Sinica,Research Progress Report, 1985-1986, Vol.5, pp38-40.

13. 劉忠立等， SOS/CMOS集成電路的研制及其在存儲電路中的應用展望，第五屆信息存儲技術(shù)學會論文集， 1986.

14. 劉忠立等，加固至抗γ總劑量達10⁷ Rad(Si)的SOS/CMOS ICs，抗核加固，1987, Vol.4, No.1.

15. 劉忠立等，高水平抗輻射SOS/CMOS集成電路，第五屆全國半導體集成電路和硅材料學術(shù)會議論文集，pp139-141.

16. 劉忠立等，CMOS/SOS集成電路輸入保護電路設(shè)計，“抗核輻射電子學會論文集”，1987.

17. Liu Zhongli, et al, An Excellent High Voltage NMOS/SOS Driver, the Proceeding of the Second International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Oct. 1989, pp 449-451.

18. 劉忠立等，一種優(yōu)良的NMOS/SOS驅(qū)動器，第六屆全國半導體集成電路和硅材料學術(shù)會議論文集，1989, pp216-217.

19. 劉忠立等，用于通信衛(wèi)星上的CMOS/SOS集成電路， 抗核加固，1990, No.3.

20. 劉榮寰，劉忠立等，加固的CMOS/SOS集成電路抗γ瞬態(tài)輻射的最新結(jié)果，抗核加固，1990, No.3.

21. 劉忠立等，多晶硅摻雜方式對MOS電容器電離輻射特性的影響，抗核加固技術(shù)研究，1992年部分成果集，國防預研抗輻射加固項目辦公室編，1992, pp 130-132.

22. 和致經(jīng)，劉忠立等，SOS 結(jié)構(gòu)條形柵MOS管島邊效應的加固技術(shù)，第五屆全國抗輻射電子學學術(shù)會議，1993，pp 72-75.

23. 劉忠立，MOS電容器中電離輻射產(chǎn)生的界面態(tài)同SiO₂內(nèi)被陷阱俘獲的空穴電荷之間的關(guān)系， 第五屆全國抗輻射電子學學術(shù)會議，1993, pp69-71.

24. 劉忠立，軍用CMOS/ SOS的可靠性及發(fā)展動態(tài)，軍用電子元器件可靠性論文選，國防科工委軍用電子元器件可靠性專業(yè)組編，1994, pp32-36.

25. Zhongli Liu, et al, Improvement of CMOS/SOS Devices Characteristics by a Modified Solid Phase Epitaxy, Proceedings of the 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology , 1998, pp191-194.

26. Jiping Nie, Zhongli Liu, et al, JFET/SOS Devices: Processing and Gamma Radiation Effects, Proceedings of the 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 1998, pp67-70.

27. Wenyu Gao, Zhongli Liu, et al, Dependence of Ultra Thing Gate Oxide Reliability on Surface Clealing Approach, the Proceedings of the 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology，1998, pp291-294.

28. 高文鈺，劉忠立等，硅表面清洗對熱氧化13nm SiO₂可靠性的影響，半導體學報，1999, Vol.20, No.5, pp383-388.

29. 聶紀平，劉忠立等，輻射加固的JFET/SOS:工藝及γ輻射效應，半導體學報，1999, Vol.20, No.8, pp676-681.

30. 劉忠立等，利用改進的固相外延技術(shù)改善CMOS/SOS器件的特性，半導體學報，1999, Vol.20, No.5, pp433-437.

31. 高文鈺，劉忠立等，硅表面清洗對7nm熱 SiO₂柵介質(zhì)可靠性的影響，半導體學報，1999, Vol.20, No.10, pp930-935.

32. 魏紅振，余金中，劉忠立，王啟明，硅基光波導及光波導開關(guān)的研究進展，半導體光電，1999, Vol.20, pp369-376.

33. 高文鈺，劉忠立等，硼擴散引起的SiO₂柵介質(zhì)的性能退化，電子學報，1999, Vol.27, No.8, pp144.

34. 魏紅振，余金中，張小峰，劉忠立等，SOI光波導分束器，第四屆SOI技術(shù)研討會論文集，2000, pp147-149.

35. 劉新宇，劉忠立，吳德馨等，0.8-1.2µm SOI/ CMOS 工藝研究，第四屆SOI技術(shù)研討會論文集，2000, pp78-82.

36. 劉新宇，劉忠立，吳德馨等，一種40nm的SOI 64k CMOS SRAM研究, 第四屆SOI技術(shù)研討會論文集，2000, pp34-38.

37. 王延峰，劉忠立等，閃爍存儲器分類及其應用，集成電路設(shè)計，2000, No.2.

38. 劉忠立， 信息領(lǐng)域中的主要新型元器件（上），電子產(chǎn)品世界，2000, N o.4，pp52-53.

39. 劉忠立，信息領(lǐng)域中的主要新型元器件（下），電子產(chǎn)品世界，2000，No.5，pp73-74.

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