專家信息：

趙有文，男，博士，現任中國科學院半導體研究所研究員，博士生導師。

主要從事磷化銦、銻化鎵等化合物單晶材料生長技術、材料缺陷和材料在光電子和微電子器件上應用的研究。

教育經歷： 

1996-08--1999-08   香港大學   理學博士

1986-09--1989-03   河北半導體研究所   工學碩士學位

1982-09--1986-07   蘭州大學   理學學士學位

工作經歷：

2000-03~2011-08,中國科學院半導體研究所, 研究員

1996-08~1999-08,香港大學, 理學博士

1989-03~1996-07,河北半導體研究所, 工程師

1986-09~1989-03,河北半導體研究所, 工學碩士學位

1982-09~1986-07,蘭州大學, 理學學士學位

參與會議：

（1）C-H complex defects and their influnce in InAs single crystal   2017-10-08
　　

教學情況：

講授課程：

半導體材料

招生專業(yè)：

080501-材料物理與化學

招生方向：

化合物半導體單晶材料生長

缺陷與雜質

材料物理

研究生培養(yǎng)：

培養(yǎng)研究生數十名。

科學研究：

主要研究領域：

寬禁帶半導體ZnO和AlN單晶材料生長、缺陷和物性研究；冶金法提純多晶硅技術及應用開發(fā)；高效太陽電池用低位錯Ge單晶生長與缺陷控制；大直徑InAs單晶生長及材料性質。

承擔科研項目情況：

（ 1 ） 新型中長波紅外探測器襯底GaSb和InAs單晶材料制備及應用, 主持, 市地級, 2018-03--2020-12

（ 2 ） 面向紅外探測應用的GaSb單晶雜質、缺陷及物性研究, 主持, 國家級, 2015-01--2018-12

（ 3 ） 4-6英寸InP單晶VGF生長技術, 主持, 院級, 2017-03--2019-12

（ 4 ） 高質量GaSb單晶襯底加工技術及紅外探測應用, 主持, 市地級, 2017-08--2018-12

（ 5 ） 磷化銦材料, 主持, 國家級, 2019-10--2022-09

（ 6 ） 高純磷化銦多晶制備技術及晶園襯底制備, 主持, 院級, 2020-01--2020-12

主要學術成績：

通過實驗研究揭示了原生磷化銦材料中氫-銦空位復合體缺陷的形成規(guī)律以及與材料電學補償和熱生缺陷的關系。通過研究和比較純磷和磷化鐵氣氛下高溫退火處理磷化銦材料后產生的深能級缺陷，發(fā)現了與退火過程中原子擴散有關的缺陷產生與抑制現象并給出了物理解釋。在此基礎上證明這些深能級缺陷大部分與銦空位有關。同時掌握了抑制深能級缺陷產生、制備高質量半絕緣磷化銦材料的物理機理和技術途徑。對影響晶體完整性的因素進行了全面的分析研究，包括微缺陷的成因、結構位錯的形成原因以及所產生的晶格畸變、點缺陷對晶格完整性的影響等。這些研究成果有效促地進了高質量磷化銦等材料單晶生長技術和單晶襯底制備技術的提高。

1 化合物半導體晶體生長用高純石英器件研發(fā)及產業(yè)化 濮陽坤;趙有文;張堯;陶明頓;龐海濤;李愛霞 連云港福東正佑照明電器有限公司 2017 

2 6英寸VGF法鍺單晶片生產關鍵工藝技術研究 惠峰;李蘇濱;柳廷龍;鐘文;李雪峰;呂春富;董汝昆;肖祥江;趙有文;高永亮;董志遠;趙燕;張丹;段鑫敏;李明宣 云南中科鑫圓晶體材料有限公司 2016  

3 以冷坩堝技術為寄出的光伏級多晶硅工業(yè)試驗 董志遠;趙有文;楊俊;王俊;段滿龍;楊鳳云;霍佃鑫;胡雪松;劉彤;羅龍 包頭市山晟新能源有限責任公司 2012  

4 深紫外LED用AlGaN材料生長研究 王軍喜;趙有文;劉喆;閆建昌;馬平 中國科學院半導體研究所 2008  

5 半導體光電功能材料磷化銦、氮化鎵和氧化鋅的特性研究 許小亮;趙有文;施朝淑 中國科學技術大學 2003  

6 Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導體電學輸運和發(fā)光特性的研究 許小亮;趙有文;施朝淑;劉洪圖 中國科學技術大學 2003

制定標準：

1 磷化銦多晶 GB/T 36706-2018 2019-07-17 國家標準 

2 LED外延芯片用磷化鎵襯底 GB/T 30855-2014 2015-04-30 國家標準 

3 LED外延芯片用砷化鎵襯底 GB/T 30856-2014 2015-04-30 國家標準 

4 太陽能電池用砷化鎵單晶 GB/T 25075-2010 2012-03-13 國家標準 

5 化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法 GB/T 26070-2010 2012-03-13 國家標準 

發(fā)明專利： 

[1]劉麗杰,趙有文,段滿龍,劉鵬,王書怡. 一種磷化銦晶片的清洗方法[P]. CN113690128A,2021-11-23.

[2]趙有文,段滿龍,劉鵬,盧偉,楊俊,劉京明,謝輝. 一種基于VGF法的氣相摻雜的晶體生長方法[P]. CN111041550B,2021-10-12.

[3]何建軍,趙有文,沈桂英,劉京明. 一種硅磷合金的制備方法[P]. CN113371714A,2021-09-10.

[4]牛智川,李農,劉冰,徐應強,王國偉,蔣洞微,吳東海,郝宏玥,趙有文,朱小貴,何勝. 在GaSb襯底上生長InAs層的生長速度測定方法[P]. CN113358677A,2021-09-07.

[5]周媛,趙有文,謝輝,楊俊,沈桂英,劉京明. 一種去除銻化鎵單晶片殘余應力的退火方法[P]. CN112899790A,2021-06-04.

[6]劉京明,趙有文. 一種低濃度P型磷化銦單晶的制備方法[P]. CN109629003B,2021-05-28.

[7]趙有文,段滿龍. 對VGF法生產的InP晶錠進行籽晶、引晶及結晶情況判定的方法[P]. CN109629002B,2021-03-16.

[8]沈桂英,趙有文,孫靜,劉京明,余丁,謝輝. 砷化銦單晶片位錯腐蝕液及位錯腐蝕檢測方法[P]. CN110205681B,2020-12-15.

[9]趙有文,沈桂英,段滿龍,楊俊,盧偉,劉鵬. 基于VGF法晶體生長用石英封帽以及晶體生長裝置[P]. CN211620660U,2020-10-02.

[10]謝輝,趙有文,董志遠,劉京明. 一種降低半絕緣磷化銦單晶摻鐵濃度的方法[P]. CN108456928B,2020-09-22.

[11]白永彪,趙有文,沈桂英,董志遠,劉京明,謝暉,余丁. 籽晶保護裝置及單晶生長方法[P]. CN108546986B,2020-09-15.

[12]劉彤,楊俊,劉京明,董志遠,趙有文. 一種銻化鎵單晶拋光片的清洗方法[P]. CN105405746B,2020-09-11.

[13]趙有文,盧偉,段滿龍,楊俊,劉京明. 一種基于VGF法的晶體生長用雙層壁坩堝[P]. CN211005709U,2020-07-14.

[14]趙有文,段滿龍,盧偉,楊俊,劉京明. 一種晶體生長裝置[P]. CN211005717U,2020-07-14.

[15]余丁,趙有文,白永彪,沈桂英,董志遠,劉京明,謝輝. 背表面場GaSb熱光伏電池及其制備方法[P]. CN108831933B,2020-05-12.

[16]趙有文,段滿龍,劉鵬,盧偉,楊俊,劉京明,謝輝. 一種基于VGF法的氣相摻雜的晶體生長方法[P]. CN111041550A,2020-04-21.

[17]孫靜,趙有文,謝輝,沈桂英,董志遠,劉京明,周媛. 摻硫砷化銦體單晶片、其腐蝕方法及腐蝕劑[P]. CN110965129A,2020-04-07.

[18]趙有文,沈桂英,段滿龍,楊俊,盧偉,劉鵬. 基于VGF法晶體生長用石英封帽、晶體生長裝置及晶體生長工藝[P]. CN110952133A,2020-04-03.

[19]段滿龍,趙有文,楊俊,劉京明,盧偉. 一種晶體生長后的退火及脫鍋方法以及晶體制備方法[P]. CN110725008A,2020-01-24.

[20]段滿龍,趙有文. 晶體生長的加熱裝置及生長裝置[P]. CN209584423U,2019-11-05.

[21]趙有文,段滿龍. 晶體生長用雙層坩堝[P]. CN209537670U,2019-10-25.

[22]沈桂英,趙有文,孫靜,劉京明,余丁,謝輝. 砷化銦單晶片位錯腐蝕液及位錯腐蝕檢測方法[P]. CN110205681A,2019-09-06.

[23]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種紫色石英管及其制備方法[P]. CN106186685B,2019-06-28.

[24]李雪峰,趙有文. 改善晶片主定位邊立面加工中出現缺陷的方法[P]. CN109808085A,2019-05-28.

[25]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種黃色石英管及其制備方法[P]. CN106219970B,2019-05-21.

[26]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種灰色石英管及其制備方法[P]. CN106219971B,2019-05-21.

[27]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種紅色石英管及其制備方法[P]. CN106219972B,2019-05-21.

[28]趙有文,段滿龍. 對VGF法生產的InP晶錠進行籽晶、引晶及結晶情況判定的方法[P]. CN109629002A,2019-04-16.

[29]劉京明,趙有文. 一種低濃度P型磷化銦單晶的制備方法[P]. CN109629003A,2019-04-16.

[30]段滿龍,趙有文. 晶體生長的加熱裝置及生長裝置[P]. CN109594124A,2019-04-09.

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[32]趙有文,段滿龍. 晶體生長用雙層坩堝及晶體生長工藝[P]. CN109576777A,2019-04-05.

[33]余丁,趙有文,白永彪,沈桂英,董志遠,劉京明,謝輝. 背表面場GaSb熱光伏電池及其制備方法[P]. CN108831933A,2018-11-16.

[34]白永彪,趙有文,沈桂英,董志遠,劉京明,謝暉,余丁. 籽晶保護裝置及單晶生長方法[P]. CN108546986A,2018-09-18.

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[36]謝輝,趙有文,董志遠,劉京明. 一種降低半絕緣磷化銦單晶摻鐵濃度的方法[P]. CN108456928A,2018-08-28.

[37]謝輝,趙有文,董志遠,劉京明. 一種降低半絕緣磷化銦單晶深能級補償缺陷的方法[P]. CN108385167A,2018-08-10.

[38]沈桂英,趙有文,白永彪,劉京明,謝輝. 一種制備P型錳摻雜的砷化銦單晶的方法[P]. CN108085744A,2018-05-29.

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[42]趙有文,段滿龍,盧偉,謝輝. 消除InP晶片微缺陷的方法[P]. CN107829142A,2018-03-23.

[43]趙有文,劉京明,段滿龍,董志遠,劉剛. 一種晶片研磨裝置[P]. CN107756232A,2018-03-06.

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[47]陳曉玉,趙有文. 太陽能電池減反鈍化膜及其制備方法及太陽能電池片[P]. CN107068774A,2017-08-18.

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[52]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種黃色石英管及其制備方法[P]. CN106219970A,2016-12-14.

[53]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種灰色石英管及其制備方法[P]. CN106219971A,2016-12-14.

[54]陶明頓,濮陽坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種紅色石英管及其制備方法[P]. CN106219972A,2016-12-14.

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[60]龐海濤,趙有文,濮陽坤,莊子柱,王婧姝,李駿. 石英連熔爐芯桿氣壓穩(wěn)定裝置[P]. CN105923980A,2016-09-07.

[61]劉京明,楊俊,劉彤,董志遠,趙有文. 一種生長氮化鋁單晶用坩堝[P]. CN205223407U,2016-05-11.

[62]劉京明,劉彤,楊俊,董志遠,趙有文. 一種氮化鋁單晶的位錯腐蝕方法[P]. CN105483833A,2016-04-13.

[63]劉彤,楊俊,劉京明,董志遠,趙有文. 一種銻化鎵單晶拋光片的清洗方法[P]. CN105405746A,2016-03-16.

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[65]曹可慰,趙有文. 偏[111]晶向鍺單晶片位錯顯示用腐蝕液及腐蝕方法[P]. CN104862702A,2015-08-26.

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[85]趙有文. 晶片熱處理用的樣品架[P]. CN2593359,2003-12-17.

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論文專著：

發(fā)表期刊論文：

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[129]程雨; 劉京明; 劉彤; 蘇杰; 楊鳳云; 董志遠; 趙有文*.不同晶向 GaSb 晶片表面化學組分及形貌分析.半導體光電.   

[130]程雨; 陶東言; 劉京明; 蘇杰; 劉彤; 董志遠; 趙有文*.GaSb 晶片表面殘留雜質分析

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榮譽獎勵：

（1） 磷化銦單晶缺陷, 二等獎, 省級, 2010

（2） InP和ZnO材料缺陷研究, 一等獎, 部委級, 2003

（3） 化合物半導體InP, 二等獎, 國家級, 2002

科學中國人報道：

潛心科研 再塑輝煌——記中國科學院半導體研究所趙有文研究員

他堅韌不拔,立志科研,意志頗似鋼鐵;他不遺余力,立足崗位,潛心技術創(chuàng)新;他滿懷激情,斗志昂揚,貢獻自身價值。這就是中國科學院半導體研究所研究員趙有文,他懷揣一顆堅定而滾燙的心,沿著自己的理想,跨越千溝萬壑,矢志不渝,兢兢業(yè)業(yè),在自身崗位上辛勤耕耘,攻克了一個又一個難題,?